1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的 推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。 其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基 础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第 二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创 历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录 收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚 焦于汽车、能源、电网基础设施等应
关键字：安森美 第三代半导体 碳化硅 SiC
意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
关键字：SiC
过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构，而是垂直结构，它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型，引入了更复杂的结构，如超级结，并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度
关键字：功率器件 Spice模型 SiC 仿真
低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关频率（50-100kHz）来维持所需的纹波电流。然而，对于50kHz以上的调制频率使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）无法满足这些需求，如果是380V系统，硅MOSFET耐压又不够，这就为宽禁带器件开创了新的机会。在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的
关键字：英飞凌 SiC MOSFET
碳化硅作为下一代功率半导体的本命，进入了全面的市场拓展阶段。加上面向再生能源的市场，汽车使用市场的增长比最初的预想早了一年多，功率半导体的投资增长也显示出SiC的一方面。不久前，行业也有研究在300mm的SIC增产的动向。然而，解决SiC容量增强问题现在成为主流。这一趋势不仅限于日本和欧洲的功率半导体制造商。美国和中国之间的摩擦导致了SiC的国产化和量产化，这也是影响SIC的一方面。据电子器件行业报道，2023年9月7日，该公司表示，“中国SiC市场全方位战略已扩大工业化加速进入公司约100家。”中国Si
关键字：SIC，液晶，半导体
美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
关键字：Power Integrations 短路保护 SiC IGBT模块 门极驱动器
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCP
关键字：Nexperia SMD CCPAK GaN FET
在半导体行业，新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力，轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中，宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂，怎么做到的？宽禁带材料的优势主要体现在：✦ 与传统的硅基半导体材料相比，宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度，更高的击穿
关键字：GaN 宽禁带 SiC
奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
关键字：Nexperia SiC MOSFET 工业电源开关
11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
关键字：三菱电机 安世 SiC 功率半导体
11 月 21 日消息，据晚点 LatePost 报道，在芯片自研方面，理想同时在研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片，和用于驱动电机控制器的 SiC 功率芯片。报道称，理想目前正在新加坡组建团队，从事 SiC 功率芯片的研发。在职场应用 LinkedIn 上，已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位，包括：总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC 功率模块电气设计专家。报道还称，用于智能驾驶的 AI 推理芯片是理想目前的研发重
关键字：理想 自研芯片 新能源汽车 智能驾驶 AI 推理芯片 驱动电机 控制器 SiC 功率芯片。
由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以及食品安全。生物场效应管将生物响应转换为分析物，并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性 (Id-Vd)、传输特性 (Id-Vg) 和电流测量值相对于时间 (I-t) 可以与分析物的检测和幅度相关。根据设备上的终端数量，可以使用多个源测量单元(SMU) 轻松完成这些直流
关键字：泰克科技 FET 生物传感器
Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
关键字：Nexperia 三菱电机 SiC MOSFET
三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动Si
关键字：三菱电机 安世 SiC
11月6日，株式会社电装（Denso）宣布对Coherent的子公司SiC衬底制造商Silicon Carbide LLC注资5亿美元，入股后，电装将获得该公司12.5%的股权。电装本次投资将确保6英寸和8英寸SiC衬底的长期稳定采购。关于本次投资，市场方面早有相关消息传出。今年9月底有报道称，电装、三菱电机等多家企业对投资Coherent的SiC业务感兴趣，并且已经就收购Coherent的SiC业务少数股权进行过讨论。分拆SiC业务能够给投资者提供更多投资机会，同时也是对SiC发展前景的看好，Coher
关键字：电装 SiC
sic fet介绍
您好，目前还没有人创建词条sic fet!
欢迎您创建该词条，阐述对sic fet的理解，并与今后在此搜索sic fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473