- 【2023年12月25日,德国慕尼黑讯】许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000 V至3300 V交流电压的中压变频器(MVD)与交通运输应用的格局。这款新半导体器件将给诸多应用带来裨益,包括大型传送带、泵、高速列车、机车以及商用、工程和农用车辆(CAV)。X
- 关键字:IGBT模块英飞凌
- 美国加利福尼亚州圣何塞,2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
- 关键字:Power Integrations短路保护SiCIGBT模块门极驱动器
- 针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题,给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法,并提供了具体的估算公式。以30 kW DC/DC变换器为研究对象,对功率模块在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性,还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出,使用SiC替代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
- 关键字:202301Boost变换器SiC模块IGBT模块热损耗
- IT 之家 11 月 30 日消息,据比亚迪半导体官方消息,目前,PFC(功率因数校正)电路设计正朝着高效、高频、小体积、低成本以及集成化的方向发展。比亚迪半导体基于市场需求及技术发展趋势,推出集成 PFC 的 IGBT 模块新品。功率因数是用来衡量用电设备用电效率的参数,低功率因数代表低电力效能。为了提高用电设备功率因数的技术就称为 PFC(功率因数校正)。比亚迪半导体共推出两款新品:BG50D07N10S5:650V 50A 整流+PFC+逆变模块,采用比亚迪 miniPIM2 封装BG30K07Q1
- 关键字:比亚迪IGBT模块
- 简介绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件,采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20 kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管
- 关键字:ADIADuM4135栅极驱动器Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块
- 1引言随着电力电子技术的飞速发展,特别是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管)和MOSFET (Metallic oxide semiconductor field
- 关键字:大功率IGBT模块调制器驱动电路IGD515EI
- IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT是电压控制型器件,在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压,只有μA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF),在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流,才能满足开通和关
- 关键字:IGBT模块驱动
- Littelfuse公司日前宣布,为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值最高为1800V和200A,提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有
- 关键字:LittelfuseIGBT模块整流器二极管模块
- 需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数:IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性,芯片结构及简单的原...
- 关键字:IGBT模块密勒电容
- 现有150A、300A的几个大电流IGBT模块,功率分别可以做到10KW和20KW以上。首先做一块能驱动这些大家伙的驱动电...
- 关键字:EG8010大功率IGBT模块
- 我国大功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块产品实现国产化啦!这不仅打破了我国在高端IGBT模块长期依赖进口的局...
- 关键字:IGBT模块PCB抄板
- 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应...
- 关键字:IGBT模块测试
igbt模块介绍
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件 [
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