人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何
关键字：EEG SiC 生物电信号采集 IMEC
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
关键字：GaN SiC 第三代半导体材料
<概要> 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。 本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%(芯片温度150℃时)，这非常有助于应
关键字：ROHM SiC
汽车功率电子产品正成为半导体行业的关键驱动因素之一。这些电子产品包括功率元器件，是支撑新型电动汽车续航里程达到至少200英里的核心部件。 虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015-2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源
关键字：SiC GaN
虽然智能手机的出货量远高于汽车(2015年为14亿部[1]，汽车销量为8,800万辆[2])，但汽车的半导体零件含量却高得多。汽车功率IC稳健增长，2015 - 2020年该行业的年复合增长率预计将达8%[3]。尤其是电池驱动的电动汽车在该行业成为强劲增长推动力，2015年5月Teardown.com针对宝马i3电动车的报告显示，该车型物料清单中包含100多个电源相关芯片。 与遵循摩尔定律不断缩小尺寸的先进逻辑晶体管不同，功率元器件FET通常运用更老的技术节点，使用200毫米(和
关键字：SiC GaN
与市场的不同的观点:传统观点认为功率半导体竞争格局固定,技术升级步伐相对缓慢,与集成电路产业的重要性不可同日而语,中泰电子认为随着新能源车和高端工控对新型功率器件的需求爆发,功率半导体的产业地位正在逐步提升,其重要性不亚于规模更大的“集成电路”。大陆半导体产业的崛起需要“两条腿走路”(集成电路+功率器件),由于功率半导体的重要性被长期低估,我国功率半导体产业存在规模小、技术落后、品类不全等诸多不足,适逢我国半导体投融资渐入高峰期,行业龙头有望率先受益。大
关键字：功率半导体 SiC
2017电源市场需求和技术趋势风向如何?来e星球，与超六万的专业人士一起把握潮流! 需求往往是推动创新的源泉，无论是时尚、金融亦或是我们熟悉的电源领域都存在这样的现象。抓住了用户需求，潜在的创新动力才会被激发，也只有适应需求的创新才是最具生命周期的。2017年电源需求在哪?创新着力点在哪?带着疑问与期盼请来亚洲第一大电子展——2017年慕尼黑上海电子展一探究竟吧!3月14日-16日将有超过6万多名的专业观众以及众多的国内外领先电源厂商集聚上海新国际博览中心，深度探讨2017年中国电源市场需求与走势，
关键字：SiC GaN
2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半导体制造商ROHM将亮相在"上海新国际展览中心"举办的"2017慕尼黑上海电子展"。届时ROHM将在E4馆设有展位(展位号：4100)，向与会观众展示ROHM最新的产品与技术。来到现场还将有ROHM的专业技术人员向您做最详尽的介绍，期待您的到来。 ROHM展位信息 "慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会。而作为拥有近60年历史的综合性半导体制造商，&
关键字：ROHM SiC
日本 DISCO 公司的科学家们使用一种称为关键无定形黑色重复吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的专利和正在申请专利的激光材料加工技术，可以将碳化硅(SiC)晶圆的生产率提升到原来的四倍，并且在提高产量的同时减少材料损耗。该技术适用于单晶和多晶锭，不管晶体层的取向如何。目前，SiC 功率器件在市场中的渗透较慢，主要是因为其产量小、且生产成本高。然而，KABRA 方法能够显著提高 SiC 器件的产量，并且应该能够使 SiC 器件作为功率
关键字：SiC
如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。 然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色
关键字：功率半导体 SiC
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
关键字：GaN SiC
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
关键字：GaN SiC
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
关键字：GaN SiC
第一代半导体材料是元素半导体的天下，第一代半导体材料是化合物半导体材料，然而随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力，于是赋予使命的第三代半导体材料——宽禁带半导体材料诞生了。
关键字：宽禁带半导体 SiC
有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军中功率市场。 可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。 台达电技术长暨总
关键字：SiC GaN
sic fets介绍
您好，目前还没有人创建词条sic fets!
欢迎您创建该词条，阐述对sic fets的理解，并与今后在此搜索sic fets的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473