全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。 另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为
关键字：ROHM SiC-MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM于今年夏季将分别在成都(06/12)、长沙(06/26)、苏州(07/10)、青岛(07/ 24)、哈尔滨(08/07)等5个城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活动。在展示ROHM最新产品和技术的同时，还包括了由半导体业界专家和ROHM工程师带来的主题演讲，获得了众多工程师的盛情参与。 “2015 ROHM科技展”以“罗姆对智能生活的贡献”为主题，从应用层面出发，介绍功率电子、传感器网络
关键字：ROHM SiC
摘要：探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。 近期，全球知名半导体制造商ROHM在清华大学内举办了以“SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。此次交流学习会上，ROHM在对比各种功率器件的基础上，对SiC元器件的市场采用情况和发展趋势做了分析，并对ROHM的SiC产品阵容、开发以及市场情况做了详尽的介绍。 各种功率器件的比较 功率元器件主要用于转换电源，包括四大类：逆变器、转换器(整流器)、直流斩波器DC/DC转换器、矩阵
关键字：SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
第一代半导体材料Si点燃了信息产业发展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群，促使英特尔等世界半导体巨头的诞生，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由Si材料制作。 目前全球40%能量作为电能被消耗，而电能转换最大耗散是半导体功率器件。曾经的“中流砥柱”Si功率器件已日趋其发展的材料极限，难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型
关键字：LED SiC MOSFET
近年来，随着柔性屏幕、触控技术和全息技术在消费电子领域的应用日益广泛，智能手机、平板电脑等智能终端功能越来越多样化。加上可穿戴设备的兴起、汽车电子的发展、通信设备的微型化，设备内部印制电路板所需搭载的半导体器件数大幅提升，而在性能不断提升的同时，质量和厚度却要求轻便、超薄。有限的物理空间加上大量的器件需求，对电子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各个领域元器件小型化的需求日益高涨。小型化不仅是过去几年的发展方向，也是将来的趋势。 谈到元器件的小型化，我们就不得不提为此作
关键字：ROHM 半导体 SiC
矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。 全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处：矢野经济研究所) 2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。虽然2012年为负增长，但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。 预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究所预测，2020年全球功率半导体市场规
关键字：SiC 功率半导体
三菱电机开发出了支持50kHz左右高频开关动作的工业设备用混合SiC功率半导体模块，并在7月23～25日举办的“日本尖端技术展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。该模块组合了高频用Si-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC-SBD(肖特基势垒二极管)，从2014年5月开始样品供货。 据介绍，新产品可用于光伏发电用逆变器等多种工业设备，尤其适合经常采用高开关频率的医疗设备用电源。新产品有6种，耐压均为1200V，额定电流为100A～600A不等。通过采
关键字：SiC 医疗设备
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
关键字：东芝 SBD SiC
美国阿肯色大学研究人员已经设计出可在温度高于350°C (大约660°F)时工作的集成电路。该研究由美国国家科学基金(NSF)提供资助，研究成果可以提高用于电力电子设备、汽车和航空航天设备领域的处理器、驱动器、控制器和其他模拟与数字电路的功能，因为所有这些应用场合的电子设备都必须在高温甚至经常在极限温度下运行。 阿肯色大学电子工程学院特聘教授Alan Mantooth说，“坚固性允许这些电路被放置在标准硅基电路部件无法工作的地方。我们设计了性能优越的信号处理电路模
关键字：SiC 集成电路
东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。 SBD适合各种应用，包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外，它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件，能够将效率提升50%(东芝调查)。 SiC功率器件提供比当前硅器件更加稳定的运行，即便是在高电压
关键字：东芝 SBD SiC
美国设计出可在温度高于350°C 时工作的集成电路，该产品可以用于高温甚至极温下运行的航空航天设备......
关键字：SiC 集成电路
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。 展示产品简介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 东芝在IGBT的基础上成功研发出“注入增强”(IE：Inject
关键字：东芝 IEGT SiC
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件，据市场研究机构Yole Développement预计，从201
关键字：美高森美 MOSFET SiC
日前，CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议，后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。 诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起，形成独一无二的竞争力。例如：SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。 CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示，为保
关键字：CISSOID 诺卫卡 SiC
2014年慕尼黑上海电子展产品亮点 TDK公司为变频器提供一款采用了爱普科斯(EPCOS) CeraLink™技术的全新直流链路电容器。CeraLink™技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸)，使用的容值范围为1 微法 至100 微法，额定直流电压为400 伏。另一款电容器的额定直流电压为800伏，容值为5 微法。 CeraLink™新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势-特别与传统电容器技术相比：由于该款新电容
关键字：TDK 电容器 CeraLink SiC
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