据BusinessKorea报道，近日，美光科技、SK海力士和西部数据等内存芯片制造商宣布，随着全球需求的下降，他们将减产。相反，三星电子表示，它不会减少其内存芯片产量，而是通过提高生产线的效率来应对不断变化的市场环境。
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SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。
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SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。同时，新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。虽然包括SK
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NAND闪存价格从2018年初到现在已经连跌6个季度了，厂商一方面在削减产能以控制供需情况，另一方面也在加强低成本的NAND闪存开发，今年就会开始从TLC闪存向QLC闪存转变。SK Hynix去年底宣布了96层堆栈的QLC闪存，号称是首个4D NAND闪存，今天该公司宣布正式出样96层QLC闪存，核心容量1Tbit。
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SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。
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根据据韩媒《韩鲜日报》报导，DRAM的价格接连下跌，零售的计算机用DRAM价格最终也下跌到5万韩元以下，这样的走势比预期要快许多，预计今年出口的前景也不乐观。 在韩国电子产品价格比较网“Danawa”上，本月6日三星电子DDR48GBPC4-21300DRAM价格是4万8900韩元，已经下跌到5万韩元以下，与去年4月9万9270韩元的高点相比下跌了50.7%。 B2B(企业间交易)市场价格指标也呈暴跌的趋势，据市调公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易价格是比起今年1月
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这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。 但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26%，环比也减少了18%，其中内存17%、闪存20%。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道
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近日，SK海力士负责人在接受采访时表示，准备在2020年发布DDR5内存条，频率起步5200MHz，另外DDR6内存也开始策划了，将在5~6年内研发。
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SK海力士官方宣布，公司已经研发出单颗容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM内存颗粒，且是首款满足JEDEC标准规范的DDR5。 据介绍，新内存采用SK海力士自家的1Ynm工艺制造，电压是标准的1.1V，相比于DDR4 1.2V可节省30%的功耗，同时工作频率高达5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，带宽也高达41.6GB/s，可以每秒传输11部全高清电影。SK海力士计划2020年起量产这款新型DDR5内存颗粒。 市调机构IDC的数据显示，DDR5内存需求将在20
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最近中国DRAM企业福建晋华遭到美国禁止输出半导体设备和材料，在福建晋华遇到困境的时候，韩国企业们趁机开始加速“超差距”战略。
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30日起，美国对中国福建晋华实施的紧急禁售令开始生效，间接在半导体市场又掀起新的涟漪。外界开始看好韩国的半导体产业，这样的期盼也即时反映到股市中，30日三星电子和SK海力士皆以强涨作收，市场反应似乎透露三星、SK海力士有机会借此大赚贸易战争财? 在贸易战的中美矛盾不断激化的情况下，美国商务部周一(29日)紧急宣布，为了维护国家安全，对中国福建晋华集成电路实施紧急禁售令，将福建晋华列入美国产品、软件和技术出口的黑名单，这与之前中兴通讯受到的惩罚手法相似。 这一禁令的实施，让外界开始观望韩国半导体是否
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据外媒IAM报道，虽然SK海力士目前在美国面临着ITC调查，并在中国大陆遭受着专利侵权问题困扰，但近几个月的专利转让数据表明，SK海力士仍与既有合作伙伴成功达成了数项新交易。 报道称，SK海力士在其2018年第二季度财报中，两次补充了专利组合。SK海力士先后收购了惠普(HP)和美国集成设备技术公司(IDT)的专利资产。 来自美国专利局(USPTO)的记录表明，今年4月，HP 有六项专利转让给 SK 海力士。据ROL律师事务所(Richardson Oliver Law Group)2018年第二季
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内存价格已经连续上涨两年多，业内普遍预测到今年第四季度将逐步回归正常，但还没来得及兴奋，坏消息就来了。
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正在美举办的Flash Memory Summit首日已经结束，亮点颇多。 Keynote环节，倒数第二个出场(排在我国的长江存储前)的是SK海力士，它在NAND市场的全球份额排名第五，DRAM份额全球第二。 首先是3D NAND的技术路线选择，SK海力士称，CTF(Charge Trap Flash，电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。 其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了，东芝/西数(闪迪)的B
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