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第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字:DRAMNAND FlashTrendForce

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码:TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品,适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用,其角度响应在30°角度下为四倍以上,在
  • 关键字:CMOS图像传感器Flash

累计上涨100%还不停!消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
  • 关键字:SK海力士三星DDR5NAND Flash上涨

EEPROM 和 flash 这样讲,早就懂了!

  • 前几天看到群里在讨论存储器,有些人一直搞不懂,今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类:RAM 和 ROM。RAM 就不讲了,今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,自认倒霉。人类文明不断进步,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
  • 关键字:存储器flashEEPROM

群联3月营收年增73%,创历史单月新高纪录

  • 近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字:群联SSD固态硬盘NAND Flash

3D NAND,1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字:NAND Flash存储芯片铠侠

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%,Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字:TrendForceNAND FlashEnterprise SSD

【科技和移动性亮点】L&T Technology Services与英特尔合作扩展边缘-人工智能解决方案

  • Source: Getty Images/metamorworksL&T Technology Services于3月4日宣布与英特尔公司达成合作,为包括蜂窝车联网(CV2X)应用在内的一系列用例开发和提供可扩展的边缘-人工智能解决方案。LTTS在网联汽车和智能交通系统领域的专业知识对于远程信息处理、高级驾驶辅助系统和蜂窝车联网等先进通信技术的开发及实施过程至关重要。该公司表示,通过利用英特尔的边缘计算平台,包括内置OpenVINO™工具可进行实时的人工智能推理优化,LTTS将为智慧城市
  • 关键字:L&T英特尔边缘人工智能蜂窝车联网CV2X

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓

  • 月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
  • 关键字:闪存芯片NAND Flash西部数据

浅谈因电迁移引发的半导体失效

  • 前言半导体产品老化是一个自然现象,在电子应用中,基于环境、自然等因素,半导体在经过一段时间连续工作之后,其功能会逐渐丧失,这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括:腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中,电迁移引发的失效机理最为突出。技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对这一现象进行了分析。 1、 背景从20世纪初期第一个电子管诞生以来,电子产品与人类的联系越来越紧密,特别是进入21世纪以来,随着集成电路的飞速发展,人们对电子产品的需求也变得愈加丰富。随着电子
  • 关键字:电迁移半导体失效世健MicrochipFlash FPGA

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字:NAND Flash

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

  • 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储器报价逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈现出明显的回暖态势,供应链人士透露,2024 年 1 月,预计 NOR Flash 价格将上涨 5%,并保持上涨态势,到第二季度,涨幅将达到 10%。过去几年,随着整个半导体市场的变化,NOR Flash 的供需和价格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市场需求较为疲软,而供货商的产能却在持续提升,导致当年的价格进入下行周期。经过一年的低迷期后,NOR Flash 价格在 2
  • 关键字:NOR Flash

NAND Flash和NOR Flash的异同

  • NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型NOR Flash是Intel于1988年首先开发出来的存储技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面;NAND Flash是东芝公司于1989年发布的存储结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND=NOT AND(与非门) & NOR=NOT OR(或非门)相同点· 两者都是非易失性存储器,可以在断电后保持存储的数据。· 两者都可以进行擦写和再编程。· 两者在写之前都要先
  • 关键字:NANFlashNOR存储结构

预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是,NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高,需求脚步却跟不上,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一,随着部份供应商产能利用率提早拉升
  • 关键字:NAND FlashTrendForce

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
  • 关键字:存储DRAMNAND Flash
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