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3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术
- 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
- 关键字：3D NAND
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
- 4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、
- 关键字：复旦微电NAND FlashEEPROM存储器
“这一次芯片浪潮，我们没有掉队”，中国加速布局开源芯片RISC-V生态
- 近日，2022年图灵奖颁给了“以太网之父”、3Com公司创始人罗伯特·梅特卡夫。他研发的以太网设备及其协议，允许设备连接到局域网并共享打印机和文件等资源，极大降低了网络连接成本。在中国开放指令生态（RISC-V）联盟秘书长、中科院计算技术研究所研究员包云岗看来，以太网成功的最大启示是做开放标准，它为下一步创新提供平台、拓展市场、繁荣生态，其背后的开源文化实则是一种生产方式的革新。在日前举行的开源硬件与新一代工业革命论坛上，专家表示，开源作为一种创新协作模式不仅引发了软件产业变革，未来还将引发硬件、数据、算
- 关键字：RISC-V
是否存在用于 RISC-V 验证的必要工具？
- 现有可用于 RISC-V 的工具可能不是最有效或最高效的。怎么办？
- 关键字：RISC-V
预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原厂持续进行减产，然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色，NAND Flash市场仍处在供给过剩状态，故TrendForce集邦咨询预估，第二季NAND Flash均价仍将持续下跌，环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产，TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修，NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹，反之，若旺季需求端持续疲弱，均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件库存去化已见成
- 关键字：集邦NAND Flash
NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待
- 相信有很多小伙伴已经注意到了，目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示，NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企业级固态硬盘）是下跌最剧烈的产品，跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息，但对于普通消费者来说，我们确实能买到更便宜的固态
- 关键字：NAND Flash
存储器厂商Q1亏损恐难逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
- 关键字：存储器DRAMNAND Flash
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世
- 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
- 关键字：300层NAND FlashSK海力士
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