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碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战
- 1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年，我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色，ST的碳化硅研发是如何取得成功的，以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出，到2030年， 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场，例如，太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此，了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的，对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅：半导体行业如何克服技术
- 关键字：MOSFET
Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器，可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
- 关键字：MOSFET
简易直流电子负载的设计与实现*
- 随着电力电子技术的飞速发展，传统负载测试电源性能的方法在高科技产品的生产中逐渐暴露出许多的不足之处。为了解决采用传统负载测试方法存在功耗较大、效率与调节精度低、体积大等问题，设计并制作一款适合随频率、时间变化而发生改变的被测电源的简洁、实用、方便的直流电子负载。系统主要由STC12C5A60S2单片机主控、增强型N沟道场效应管IRF3205功率管、矩阵按键、D/A和A/D电路等部分组成。实现了在一定电压与电流范围内恒压恒流任意可调，并通过LCD12864液晶显示屏显示被测电源的电压值、电流值及相应的设定值
- 关键字：STC12C5A60S2单片机恒流恒压IRF3205负载调整率202105MOSFET
瑞能半导体举行CEO媒体沟通会
- 近日，瑞能半导体CEO Markus Mosen（以下简称Markus）的媒体沟通会在上海静安洲际酒店举行，瑞能半导体全球市场总监Brian Xie同时出席本次媒体沟通会。沟通会上首先回顾了瑞能半导体自2015年从恩智浦分离出后，从全新的品牌晋升为如今的知名国际品牌的过程中，在六年内保持的相当规模的成长，并取得的骄人成绩；结合瑞能半导体近期推出的第六代碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多种系列产品，明确了在碳化硅器件行业内的领先地位；在分享后续发展策略的同时，强调了瑞能半导体未来
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原厂MOSFET价格一年涨3倍：还会继续涨价
- 相比去年，已有多款MOSFET产品涨价幅度超过3倍，而供货周期也无限延长。由于缺货的确定短期内得不到解决，有业内人士认为下半年该产品依旧会涨价。芯研所7月24日消息，自2020年以来，在供需层面多种因素的叠加作用下，功率器件MOSFET价格持续大涨。近日由于马来西亚、台湾等地区新冠肺炎疫情延烧，导致产能下降，在过去的一个月，英飞凌、意法半导体、安森美等IDM大厂又再度将产品的价格上调了10~15%。芯研所采编目前MOSFET原厂年内订单已全部排满，各大MOSFET厂仍在不断上调MOSFET价格。相比去年，
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使用IC采样保持放大器
- 采样保持(S/H)功能是数据采集和模数转换过程的基础。S/H放大器电路有两种不同的基本工作状态。在第一种状态下，对输入信号采样，同时传送到输出端（采样）。在第二种状态下，保持最后一个采样值（保持），直到再次对输入采样。在大多数应用中，S/H用作数据采集系统中模数转换器的“前端”。这样使用时，S/H主要用于在执行模数转换所需的时间段内，让模拟输入电压电平保持恒定不变。具体来说，S/H是数据转换系统必须具备的系统功能模块，所用的模数转换器在进行转换期间，必须提供恒定且准确的模拟输入。逐次逼近类型模数转换器就是
- 关键字：MOSFET
大联大品佳集团推出基于NXP产品的5G open frame解决方案
- 大联大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解决方案。图示1-大联大品佳推出基于NXP产品的5G open frame解决方案的展示板图当前，系统对于电源设计要求正在变得愈发苛刻。随着能源法规不断完善，针对效率的要求不断提高，在电源已做到极致的情况下，单纯地使用原始架构已不能满足需求，因此必须有新一代的架构设计来满足现行的需求。大联大品佳针对高效率的5G电源应用，基于NXP技术推出了open frame解决方案，该方案搭载输入端同步整流技术IC
- 关键字：MOSFET
硅晶体管创新还有可能吗？ 意法半导体超结MDmesh案例研究
- 前言自从固态晶体管取代真空电子管以来，半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展，改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步，在封城隔离期间我们就无不可能远程办公，与外界保持联系。总之，没有半导体的技术进步，人类就无法享受科技奇迹。举个例子，处理器芯片运算能力的显著提高归功于工程师的不断努力，在芯片单位面积上挤进更多的晶体管。根据摩尔定律，晶体管密度每18个月左右就提高一倍，这个定律控制半导体微处理器迭代50多年。现在，我们即将到达原子学和物理学的理论极限，需要新的技术，例如，分层垂直堆叠技术。同时，我们
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