英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱。变频是当代变频器设计中，采用直流转交流的新兴转换趋势。与传统的开/关控制相比，能让产品应用更安静平稳地运转，同时也减少平均耗电量。 三星首款在压缩机中使用分立式装置设计的冰箱，采用英飞凌多款电源解决方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及压缩机马达用的 600V CoolMO
关键字：三星 MOSFET 英飞凌
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，适用于驱动高压功率MOSFET的栅极，这类MOSFET用于实现隔离式固态继电器（SSR）[1]功能。今日开始批量出货。SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器，它适用于对大电流执行开／关控制的应用。光伏耦合器是一种内置光学器件但不具有用于执行开关功能的MOSFET的光继电器。在配置隔离式SSR设计时，通过将光伏耦合器与MOSFET结合使用，便
关键字：MOSFET SSR
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。Nexperia产品市场经理Neil M
关键字：Nexperia 低RDS(on) MOSFET
随着半导体技术和工艺的飞速发展，电子设备得到了广泛应用，而作为一名电力工程师，模拟电路是一门很基础的课，对于学生来说，获得电子线路基本知识、基本理论和基本技能,能为深入学习电子技术打下基础。1. 电接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。2. 稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。3. PN结具有
关键字：模电 三极管 MOSFET
温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。半导体硅PTC热敏电阻可以很好进行电流控制，或铂基或铌基(RTD)电阻温度检测器可以用较低阻值，达到更高的检测线性度。无论传感器采用表面贴装器件、引线键合裸片还是烧结裸片，NTC热敏电阻仍是灵敏度优异，用途广泛的温度传感器。只要设计得当，可确保模块正确降额，并最终在过热或外部温度过高的情况下关断模块。本文以键合NTC裸片为重点，采用模拟电路仿真的方法说明功率模
关键字：IGBT MOSFET
用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性，能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路，以STM8S003F3P作为电源的控制单片机，使用继电器控制电路实现主备电无缝切换，使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理，最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明：设计的集中供电电源输出性能指标较高，且能够实现不间断供电及电池充电功能，满足消防控制系统供电要求。
关键字：集中供电电源 半桥拓扑 充电管理 智能 202104 MOSFET IGBT
随着电子系统变得越来越密集并且互连程度越来越高，降低电磁干扰 (EMI) 的影响日益成为一个关键的系统设计考虑因素。鉴于 EMI 可能在后期严重阻碍设计进度，浪费大量时间和资金，因此必须在设计之初就考虑 EMI 问题。开关模式电源 (SMPS) 是现代技术中普遍使用的电路之一，在大多数应用中，该电路可提供比线性稳压器更大的效率。但这种效率提高是有代价的，因为 SMPS 中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的开关会产生大量 EMI，进而影响电路可靠性。EMI 主要来自不连续的输入电流、开关节
关键字：MOSFET
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
关键字：Nexperia MOSFET GaN
工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造，涉及信息物理系统(CPS)、物联网(IoT)/工业物联网(IIoT)、云计算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多种技术，可实现经济增长和利润最大化，提高生产效率，并避免人力在执行某些任务时的安全隐患。安森美半导体为工业自动化提供全面的高能效创新的半导体方案。其中，机器人半导体方案构建框图如图1所示。图1 工业自动化-机器人半导体方案构建框图电机控制设计人员可采用安森美半导体的无刷直流电机(BLDC)控制器实现BLDC电机控制，如高
关键字：MOSFET BLDC IoT IIoT
2021年4月11日，为期三天的第97届中国电子展在深圳会展中心圆满落幕，展会与第九届中国电子信息博览会（CITE2021）同期举办，现场有超1500家参展商参展，共发布近万件新产品、新技术，全方位、多角度展示我国电子信息产业的最新发展成果。同时，博览会期间还举办了近100场同期活动，吸引了超过10万名专业观众到场参观，500余万观众线上观展。据主办方介绍，展会以“创新驱动 高质量发展”为主题，展览展示、论坛会议和现场活动三大板块联动，三位一体，亮点纷呈。亮点一展览：展示最新产品 9号馆——基础
关键字：MOSFET
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。用于单相输入交流系统的简单功率因数校正(PFC)拓扑结构(图1)是个传统的单通道升压转换器。该方案包含一个用于输入交流整流的二极管全桥和一个PFC控制器，以增加负载的功率因数，从
关键字：MOSFET PFC
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。日前发布的汽车级M
关键字：MOSFET
背景资讯大多数中间总线转换器 (IBC) 使用一个体积庞大的电源变压器来提供从输入至输出的隔离。另外，它们一般还需要一个用于输出滤波的电感器。此类转换器常用于数据通信、电信和医疗分布式电源架构。这些 IBC 可由众多供应商提供，而且通常可放置于业界标准的 1/16、1/8 和 1/4 砖占板面积之内。典型的 IBC 具有一个 48V 或 54V 的标称输入电压，并产生一个介于 5V 至 12V 之间的较低中间电压以及从几百 W 至几 kW 的输出功率级别。中间总线电压用作负载点稳压器的输入，将负责给 FP
关键字：MOSFET IBC
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