- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
- 关键字：MOSFET驱动器功耗计算
- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
- 关键字：MOSFET驱动器功耗计算方法
- 功率开关管功耗的计算1）开关管导通时的功耗测试开通时间Ton（uS）4.955（时间测量以电压波形为基...
- 关键字：开关管整流管功耗计算
- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
- 关键字：MOSFET驱动器功耗计算
功耗计算介绍
您好，目前还没有人创建词条功耗计算!
欢迎您创建该词条，阐述对功耗计算的理解，并与今后在此搜索功耗计算的朋友们分享。
创建词条
关于我们-
广告服务-
企业会员服务-
网站地图-
联系我们-
征稿-
友情链接-
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
