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化学机械抛光文章进入化学机械抛光技术社区

利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

  • 在早先的技术节点中,由于器件尺寸较大,能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今,由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象,因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断,从而留下孔洞。
  • 关键字:化学气相沉积良率化学机械抛光

化学机械抛光 Slurry 的蜕与进

  • 岳飞曾说:“阵而后战,兵法之常,运用之妙,存乎一心。”意思是说,摆好阵势以后出战,这是打仗的常规,但运用的巧妙灵活...
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化学机械抛光介绍

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