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双运放电流源的基本操作

• 合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。图 1：必须与 SiC MOSFET 的性能指标（左）进行平衡的所选参数（右）重要的验收标准之一是设备在其目标应用的操作条件下的可靠性。与现有硅器件世界的主要区别在于，SiC 元件在更高的内部电场下工作。相关机制需要仔细分析。它们的共同点是，器件的总电阻由漏极和源极接触电阻的
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