- 本文提出了一种无电感单端转差分宽带低噪声放大器LNA，该电路包含有三个反相器结构的增益级，并且嵌有本地反馈电阻以实现宽带输入阻抗匹配的目的。而且，在第三级电路中，在电流偏置晶体管旁边并联一个电容，以改善电路增益以及差分信号的相位。基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计，该宽带LNA在0 GHz～1.4 GHZ的频段内，取得了17.4 dB的最大增益，-5.3 dBm的最小输入三阶交调截止点IIP3，1.2 dB的最小噪声系数。该电路在1.3 V电压供电下，仅消耗了10.8 mW的功耗。
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- 新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。 近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。 该产品是可支持47
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宽带低噪声放大器介绍
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