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基本半导体发布国内首款工业级碳化硅MOSFET

• 　　新年伊始，基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET，该产品各项性能达到国际领先水平，其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布，标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展，自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。　　近年来，基于硅(Si)、砷化镓(GaAs)半导体材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理极限，产业发展进入瓶颈期。而以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射
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