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以工艺窗口建模探索路径:使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口

• 持续的器件微缩导致特征尺寸变小，工艺步骤差异变大，工艺窗口也变得越来越窄[1]。半导体研发阶段的关键任务之一就是寻找工艺窗口较大的优秀集成方案。如果晶圆测试数据不足，评估不同集成方案的工艺窗口会变得困难。为克服这一不足，我们将举例说明如何借助虚拟制造评估 DRAM 电容器图形化工艺的工艺窗口。在 DRAM 器件开发中，必须在硅晶圆上刻蚀用于存储电荷的电容孔阵列。可用来制造 40nm 孔阵列的图形化方案包括极紫外光刻刻蚀、四重光刻刻蚀、双自对准双重
• 关键字：工艺窗口建模虚拟制造DRAM电容器图