本文将通过解释MOSFET功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。MOSFET的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。跨沟道的电压和流过沟道的电流都是显著的，导致晶体管中的高功耗。在开关模式中，栅极到源极电压足够低以防止电流流动，或者足够高以使FET处于“完全增强”状态，在该状态下沟道电阻大大降低。在这种状态下，晶体管就像一个闭合的开关：即使大电流流过通道，功耗也会很低或中等。随着开关模式操作接近理想情况，功耗变得可
关键字：MOSFET 开关损耗
Wolfgang Frank （英飞凌） 摘 要：电力电子系统（如马达）中的开关损耗降低受到电磁干扰（EMI）或开关电压斜率等参数的限制。通常是通过选择有效的功率晶体管栅极电阻来解决这一问题。但这在运行中是无法自主进行调整的。 本文将介绍一种通过并联常规栅极驱动芯片来攻克这一难题的简单方法。文中还介绍了与开通能耗改进有关的表征数据的评估。 关键词：马达；开关损耗；EMI；开关电压斜率；栅极驱动 0 引言 连接MOS栅极功率晶体管的栅极电阻选型，一般有2个优化目标。首先，应通过选择电阻值较小的
关键字：202006 马达 开关损耗 EMI 开关电压斜率 栅极驱动
Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)刘松（万国半导体元件(深圳)有限公司，上海 静安 200070） 摘要：本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法，特别说明了在实际的不同应用中，采用不同的输出电
关键字：输出电容 死区时间 开关损耗 超结 201904
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间
关键字：MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
基于电感的开关电源(SM-PS)包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFE...
关键字：开关电源 开关损耗
IGBT关断损耗大；拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两方面构成：1）IGBT的主导器件—GTR的基区储...
关键字：IGBT 开关损耗
IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设...
关键字：反向恢复 过压 开关损耗
对降压稳压器的关键要求通常是尺寸和效率。由于印制电路板面积弥足珍贵，哪个设计人员也不愿意分配额外的空...
关键字：零电压 开关损耗 功率密度
了解了开关管V和续流二极管D的电流D（见图d、e）就可以计算电路的损耗和效率。若电流流过开关管V和二极管D...
关键字：开关调节器 开关损耗
交叠开关损耗（或称为电压电流重叠损耗），可以根据某时段内电压电流的动态曲线按照上升电流和下降电压的斜率...
关键字：开关调节器 开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
关键字：MOSFET 开关损耗 主导参数
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
关键字：功率MOSFET 开关损耗
20世纪70年代初期，20kHzPWM型开关电源的应用在世界上引起了所谓“20kHz电源技术革命”。逆变电源按变换方式...
关键字：磁性材料 开关损耗 谐振
摘要：详细分析了SVPWM的原理，介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM算法，使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作。这样在提高开关频率的同时减小了开关电
关键字：SVPWM FPGA 开关损耗 算法
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知...
关键字：mos/开关损耗
开关损耗介绍
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