- 简介：今天写两个电路设计失误，第一个是由于电流增益不够引起的，该电路是参考别的设计者引发的，看了之后可以了解一些知识。 第一个失误的主要原因是，设计者错误估算了R1的大小。其设计的值太大，导致Ib太小。 这里把等效的模型转换成如下： 以上的模型描述了输入和输出的模型，正式计算的分成两个部分。 求解基极电流Ib 求解集电极电流Ic 求解放大比例 通过这个比例可得到三极管的状态，如
- 关键字：电流增益接触电阻
- ASTM的方法B539“测量电气连接的接触电阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信号电平接触电阻”是通常用于测...
- 关键字：开尔文四线法接触电阻测量实例
- 接触电阻就是电流流过闭合的接触点对时的电阻。这类测量是在诸如连接器、继电器和开关等元件上进行的。接触电阻一般非常小其范围在微欧姆到几个欧姆之间。根据器件的类型和应用的情况，测量的方法可能会有所不同。AS
- 关键字：接触电阻测量方法
- 关键字：半导体参数 接触电阻通常，参数测试系统将电流或电压输入被测器件（DUT），然后测量该器件对于此输入信号的响应。这些信号的路径为：从测试仪通过电缆束至测试头，再通过测试头至探针卡，然后通过探针至芯片
- 关键字：半导体参数测试探针接触电阻
- 通常，参数测试系统将电流或电压输入被测器件（DUT），然后测量该器件对于此输入信号的响应。这些信号的路径为：从测...
- 关键字：半导体参数接触电阻
- 纳米级电气特性
研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是，必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响，因为很多材料具有压力相关性，压力会引起
- 关键字：纳米级接触电阻测量新技术
- 纳米级电气特性
研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是，必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响，因为很多材料具有压力相关性，压力会引起材料
- 关键字：纳米级接触电阻测量新技术
接触电阻介绍
----接触，对导体件呈现的电阻成为接触电阻。 一般要求接触电阻在10-20 mohm以下。 有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。 应该指出， 开关的接触电阻是在开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的最大值。 Contact Area 接触电阻 在电路板上是专指金手指与连接器之接触点，当电流通过时所呈现的电阻之谓。为了减少金属表面氧化 [
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