- 26日, 韩国海力士半导体表示,计划投资4.6万亿韩元(合约49.7亿美元)建造新厂，并扩张现有生产线。 海力士为全球第二大动态随机存取记忆体(DRAM)制造商。该公司在提交韩国证交所的文件中表示，将投资3.8兆韩元在国内建造12寸晶圆新厂，并在2009年年中前完成投资。 该公司本季也将投资7920亿韩元扩张并升级现有厂房。
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- 国外媒体报道，韩国第二大芯片制造商海力士（Hynix）半导体公司近日表示，公司已经与美国新达（SanDisk）公司达成了交叉许可协议，从而允许两家公司分享各自的专利技术。 两家公司还就建立合资企业签署了谅解备忘录，以期通过建立合资企业共同生产和销售电脑芯片。 这份文件还透露，两家公司将共同出资兴建一家闪存生产企业，并且由海力士公司将负责生产过程。但文件并没有透露合作的相关细节，也没有说明双方的投资金额。 另外，此前一天，海力士公司还与日本东芝公司签署了类似协议
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