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桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:关断时

  • 具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比,在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中,我们介绍了LS(低边)SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比,SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
  • 关键字:ROHM桥式结构栅极

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:导通时

  • 在功率开关器件最常见的应用中,包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为,在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中,介绍了相互影响的动作情况。● 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MO
  • 关键字:罗姆栅极,桥式结构
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