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英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

• 数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择；此外，该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN
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