晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。1 晶体管BJT的工作原理让我们从经典的NPN晶体
关键字：晶体管 BJT MOSFET
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
关键字：碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
关键字：SiC 8英寸
3月28日，小米公司正式发布了小米SU7，一共有三款配置，分别是小米SU7 标准版，售价21.59万元；小米SU7 Pro版，售价24.59万元；小米SU7 Max版，售价29.99万元。图片来源：小米公司2021年3月，小米创始人雷军正式宣告小米造车。近三年时间过去，小米SU7正式发布，其相关供应商也浮出水面，既有包括高通、英伟达、博世等国际供应商，也包含了比亚迪、宁德时代、扬杰科技等本土供应链厂商。芯片领域，英伟达为小米汽车提供自动驾驶芯片，小米SU7搭载了英伟达两颗NVIDIA DRIVE Orin
关键字：小米 汽车 碳化硅
华泰证券发布研报称，在3月20日-3月22日开展的2024 SEMICON China(上海国际半导体展览会)上，华泰证券与数十家国内外头部半导体企业交流，并参加相关行业论坛，归纳出以下趋势：1)前道设备：下游需求旺盛，国产厂商持续推出新品，完善工艺覆盖度；2)后道设备：AI拉动先进封装需求，测试机国产化提速；3)SiC：2024或是衬底大规模出海与国产8寸元年；4)元宇宙和微显示：硅基OLED有望成为VR设备主流显示方案，AI大模型出现可能推动智慧眼镜等轻量级AR终端快速增长。 华泰证券主要观点如下：
关键字：元宇宙 AR VR 碳化硅 先进封装
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
关键字：GaN SiC
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择，尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。随着人工智能（AI）、5G和物联网（IoT）的推波助澜下，对数位服务的需求持续成长，能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3k
关键字：意法半导体 碳化硅 数字电源 数位电源 电源 肯微
3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
关键字：功率半导体 碳化硅
据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
关键字：Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
关键字：芯片制造 功率半导体 碳化硅
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
关键字：碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
关键字：SiC 碳化硅
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
关键字：碳化硅 氮化镓 第三代半导体
电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。图1：BESS 实施概览BESS 的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点
关键字：安森美 SiC 电池储能
进入 2024 年，10 多家车企纷纷宣布降价。车企给供应商的降价压力更大，普遍要求降价 20%，过去一般是每年降 3%-5%。有观点认为，车市降价是由于新技术带来的成本下降，但从大背景来看，2 月销量下滑，或是更多企业加入价格战的不得已选择。但从另一个角度来看，成本的下降确实会缓解降价的压力，SiC（碳化硅）会不会是出路呢？降价风波始末2 月 19 日，可以说是一切的开始。降价潮是由比亚迪掀起的，从 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春节假期结束后的 17 天里，比亚迪密集推出了 13 款主力车型的
关键字：SiC
碳化硅(sic)mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅(sic)mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅(sic)mosfet的理解，并与今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473