结型场效应晶体管文章进入结型场效应晶体管技术社区

垂直GaN JFET的动态性能

美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直氮化镓（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压高达1200V（1.2kV）的NexGen结型场效应晶体管（JFET）器件。动态 RON描述了开关晶体管的电阻相对于稳定直流状态下的电阻的增加。该团队评论道：“这个问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（
关键字：氮化镓结型场效应晶体管

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结型场效应晶体管介绍

结型场效应晶体管利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同，它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运，少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极晶体管。　　 1925～1926年美国的J.E.里林 [ 查看详细]

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