- 摘 要：为了分析功率MOSFET关断特性，本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导 了数学模型，表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真结果对数学模型进行了验证；设计了双脉冲实验，实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于 器件设计优化和应用改善。关键词：关断特性；结电容；Spice模型；双脉冲1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
- 关键字：202210关断特性结电容Spice模型双脉冲
- 随着人们对电源及电子设备的功能要求越来越高，为各种设备提供电源时需要进行的改动就越来越多。IGBT就是其中一种，然而在实际的设计过程中，很多朋友
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