肖特基势垒二极管文章进入肖特基势垒二极管技术社区

Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)

Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。这些宽带隙 SBD 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠
关键字：Diodes 碳化硅肖特基势垒二极管 SBD

东芝推出具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管

　　东芝公司(TOKYO：6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)，该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。　　这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造，与第一代产品相比，正向浪涌电流提高了约70%，同时开关损耗指标“RON * Qc” [1]降低了大约30%，这使它们适合应用于高效功率因数校正(PFC)方案中
关键字：东芝肖特基势垒二极管

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肖特基势垒二极管介绍

肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒区（通常称为“表面势垒”或“肖特基势垒”），产生整流，检波作用。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的 [ 查看详细]

肖特基势垒二极管文章进入肖特基势垒二极管技术社区

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