- 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。Die Layout下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。图一芯片的表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate P
- 关键字：碳化硅芯片设计和制造安森美
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