- 尽管宽带隙半导体已在功率开关应用中略有小成，但在由 IGBT 占主导的高电压/高功率领域仍未有建树。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共栅” 将打破现有局面。让我们一起来了解超共源共栅的历史，并探讨如何将其重新用于优化现代设计。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (E
- 关键字：Qorvo超共源共栅
超共源共栅介绍
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