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意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

  • 2024 年 3 月 28 日,中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能,同时,品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比,意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄,使开关波形更加锐利,导通和关断
  • 关键字:意法半导体超结MOSFET
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