- 摘要:本文通过案例和实验,概述了四种IGBT及其子器件的失效模式:MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。 关键词:栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤 硅熔融 1、 引言 IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和双极的特有失效模式,还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件,因此,IGBT也是静电
- 关键字:栅击穿阈值电压漂移积累损伤硅熔融电源
阈值电压漂移介绍
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