- 摘要：为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题，采用TSMC 90 nm工艺，设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(
- 关键字：超低功耗容错随机存
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