- 伴随着CPU, GPU等的性能进步和制程发展，主板的供电设计也迎来了更多的挑战，大电流、高效率、空间占用小、动态响应快、保护更智能的需求使得传统的采用分立MOS的方案逐渐被取代，SPS/DrMOS的解决方案凭借更好的性能表现成为主流。01 矽力杰 DrMOS 方案SQ29663采用业界标准封装，芯片内部集成两个高性能的MOS和驱动及控制单元，通过优化设计的内部结构和驱动控制，能够实现高效率、高功率密度以及良好的散热性能。严密的控制和保护逻辑使其能轻松兼容主流的前级控制器，适用于CPU，GPU以及POL的电
- 关键字：矽力杰DrMOS
- 本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高
- 关键字：单芯片驱动器MOSFETDrMOS电源系统设计
- 现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。目前电源行业一种公认的解决方案，是将先进的开关MOSFET（稳压器的主要组成部分）及其相应的驱动器集成到单个芯片中并采用高级封装，从而实现紧凑高效的功率转换。这种DrMOS功率级优化了高速功率转换。随着对这
- 关键字：电源系统设计单片驱动器MOSFETDrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线，功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性，比如裸片温度对功率耗散的时间缩放功能，定义更多的真实条件以提高仿真精度和设计灵活性，减轻对用户使用经验的要求。
- 关键字：VishayMOSFETDrMOS
- Ultrabook设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。
- 关键字：飞兆电源XS DrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。
- 关键字：VishayDrMOS
- 英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。 通过大幅降低三个关键的能效优值(FOM)，这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电
- 关键字：英飞凌OptiMOSMOSFETDrMOS
- 预测到2010年，处理器将工作在1V和100A电流，到2020年希望处理器的电源电压将是0.7V和更高电流。处理器工作在1V，100A(或更高)和GHz频率时的高效电源管理成为设计人员面对的困难任务。
- 关键字：IntelVRDDrMOS多相PWM
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面优化的集成式FET加驱动器功率级解决方案FDMF6700，采用超紧凑型6mm x 6mm MLP封装。对于空间极度受约束的应用，比如小外形尺寸的台式电脑、媒体中心PC、超密集服务器、刀片服务器、先进的游戏系统、图形卡、网络和电信设备，以及其它电路板空间有限的DC-DC应用，FDMF6700为设计人员提供别具吸引力的解决方案。 在个人电脑主板中，典型的降压转换器在每个相位可能包含：采用DPAK封装的三个N沟道MOSFE
- 关键字：嵌入式系统单片机飞兆DrMOSFET模块
- 瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R
- 关键字：单片机第二代集成驱动器MOSFET（DrMOS）嵌入式系统瑞萨科技
- 瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2
- 关键字：DrMOSMOSFET单片机电源技术集成驱动器模拟技术嵌入式系统瑞萨
集成驱动器mosfet（drmos）介绍
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