- 基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计，工作于1.1 V电源电压，通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点，并结合温度补偿技术和有源衰减电路，实现在-40 ℃~125 ℃内温度变化系数为6.6 ppm/℃，低频下电源抑制比为93 dB，高频下电源抑制比为56 dB，与此同时，利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。
- 关键字：带隙基准全CMOS低电源电压曲率补偿高电源抑制比零温系数点201804
高电源抑制比介绍
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