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高速二极管型文章进入高速二极管型技术社区

东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET

  • 中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。 新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反
  • 关键字：东芝高速二极管型功率MOSFET
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高速二极管型介绍

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