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ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC

• 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，电源部分的功率转换效率提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题，而这就要求功率元器件的不断优化。另外，不仅在自动驾驶领域，在工业设备和社会基础设施监控等领域应用也非常广泛的LiDAR*1，也需要通过高速脉冲激光照射来进一步提高识别精度。在这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还
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