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日立联合瑞萨开发用于片上非易失性存储器应用的1.5V低功耗、高速相变存储模块

• 　　为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，日立有限公司与瑞萨科技公司宣布开发出运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块。该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA（Micro*2安培）写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 　　日立和瑞萨科技在2007年2月11日在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上提交了有关报告。 　　最近几年，微控制器已成为车载系统、家庭电子产品
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