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国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI

资料介绍
EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片，内部组织为1024K字，每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问
标签： SRAM， 串口SRAM， 国产SRAM
国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI
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