【SI4532CDY-T1-GE3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

型号：SI4532CDY-T1-GE3-VB

丝印：VBA5325

品牌：VBsemi

参数：

- 封装：SOP8
- 沟道类型：N+P—Channel
- 额定电压：±30V
- 最大电流：9A（N-Channel）/-6A（P-Channel）
- 开态电阻：RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V（N-Channel）, 42mΩ@VGS=20V（P-Channel）
- 阈值电压：Vth=±1.65V

应用简介：

SI4532CDY-T1-GE3-VB是一款N+P—Channel沟道的场效应管，封装为SOP8。其主要应用领域包括但不限于：

1. **电源开关模块：** 适用于电源开关电路，提供可靠的电源开关功能，广泛应用于电源管理系统和便携电子设备。

2. **电源逆变器：** 在太阳能逆变器等领域，可用于实现直流到交流的转换，为可再生能源系统提供电能输出。

3. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行调控的电路，如电流源、电流控制器等。

4. **电池保护模块：** 在锂电池保护电路中，用于实现对电池的过放和过充保护。

5. **电机驱动：** 在小型电机的驱动电路中，如电动工具、小型电动车等。

SI4532CDY-T1-GE3-VB的特性使其在以上应用中表现卓越，是一款多功能、可靠的场效应管。