【SI1317DL-T1-GE3-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

型号：SI1317DL-T1-GE3-VB
丝印：VBK2298
品牌：VBsemi

**参数：**
- 封装：SC70-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大电压：-20V
- 最大电流：-3A
- 开启电阻（RDS(ON)）：98mΩ @ VGS=4.5V, 98mΩ @ VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-0.6~-2V

**应用简介：**
SI1317DL-T1-GE3-VB是一款SC70-3封装的P—Channel沟道MOSFET，适用于一些低功率和小尺寸的应用。以下是它可能用在的一些领域模块：

1. **电源模块：** 适用于构建小型电源开关模块，提供低功率电源输出。

2. **电池管理：** 在充电和放电控制中，可用于小型电池管理电路，实现对电池的有效控制。

3. **小型电流控制模块：** 由于其适中的电流和小尺寸，可能用于小型电流控制模块，例如小型调光模块等应用。

4. **小型电源开关：** 适用于构建小型电源开关，例如便携式设备、小型传感器等。

5. **低功率逆变器：** 在低功率逆变器中，可以用于构建小型逆变器电路，实现电能的转换。

请注意，在使用这种器件时，确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。由于其适用于低功率和小尺寸的应用，因此主要用于一些相对较小规模的电子产品。