【STD3NK60Z-1-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 参数：
- 封装：TO251
- 沟道类型：N—Channel
- 最大电压：650V
- 最大电流：2A
- RDS(ON)：4300mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：2V

应用简介：
该 MOSFET 适用于低功率应用，如电源开关、照明控制和电源适配器。其N—Channel沟道类型使其在正电压操作的电路中具有优越性能。

使用领域模块：
1. 电源开关：作为低功率电源开关元件，用于小型电源系统。
2. 照明控制：在低功率照明系统中作为电流控制元件。
3. 电源适配器：用于低功率电源适配器电路。

作用：
1. 提供低功率应用的高效能力。
2. 在电源开关和照明控制中实现正电压操作。
3. 适用于低功率电源适配器电路。

使用注意事项：
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作，以避免损坏设备。
2. 在设计中考虑适当的散热措施，以确保器件在额定工作温度下稳定运行。
3. 避免超过最大额定电流和电压，以防止设备过载。
4. 在使用过程中，注意静电防护，避免损坏敏感元件。