【MTD3055ELT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

**产品型号：** MTD3055ELT4G-VB

**丝印：** VBE1695

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：TO252
- 沟道类型：N—Channel
- 额定电压：60V
- 额定电流：18A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：73mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：2V

**封装：** TO252

**详细参数说明：**
MTD3055ELT4G-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道场效应管。其额定电压为60V，额定电流为18A，具有较低的静态导通电阻（RDS(ON)），在VGS=10V或VGS=20V时为73mΩ。阈值电压（Vth）为2V。该器件适用于中功率、中电压的场合，提供高效的功率开关性能。

**应用简介：**
MTD3055ELT4G-VB适用于各种领域的功率模块，包括但不限于：
1. **电源模块：** 用于中电压、中功率的稳压电源、开关电源等应用，实现能量转换。
2. **电机驱动：** 作为电机驱动模块的一部分，实现对中功率电机的高效控制。
3. **电源逆变器：** 用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器等中电压、中功率逆变应用。

**作用：**
在上述模块中，MTD3055ELT4G-VB的主要作用是实现中功率、中电压的开关控制，以确保模块的稳定性和高效性能。

**使用注意事项：**
1. **静电防护：** 在操作过程中，需采取防静电措施，避免对器件产生损害。
2. **散热：** 注意器件的散热，确保在额定工作温度范围内。
3. **电源匹配：** 在设计中，确保器件的电源与其额定参数匹配，以确保性能和可靠性。
4. **工作条件：** 了解并遵守器件的工作条件和电气特性，确保在规定的工作条件下使用。

这些建议旨在确保器件的可靠性和性能，具体使用时需参考器件的数据手册和厂商提供的技术规格。