【IPD30N06S4L-23-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

**IPD30N06S4L-23-VB 详细参数说明：**

- **品牌：** VBsemi
- **型号：** IPD30N06S4L-23-VB
- **丝印：** VBE1638
- **封装：** TO252
- **类型：** N-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级：** 60V
- **电流等级：** 45A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值（Vth）：** 1.8V

**应用简介：**

IPD30N06S4L-23-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道MOSFET。具有高电压（60V）、高电流容量（45A）和低导通电阻（24mΩ），适用于高性能电子模块。

**应用领域：**

1. **电源模块：** 用于开关电源和稳压器，提供高效率的电源转换。

2. **电机控制：** 作为电机驱动器的一部分，实现对电机的有效控制。

3. **逆变器：** 用于逆变器电路，将直流电源转换为交流电源。

**作用：**

- 提供高效率的电源转换。
- 实现对电机的有效控制。
- 在逆变器电路中实现直流到交流的转换。

**使用注意事项：**

1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的电压和电流限制，以免损坏器件。

2. **散热：** 在高功率应用中，需要适当的散热措施，确保器件在正常工作温度范围内。

3. **防静电措施：** 在处理和安装过程中采取防静电措施，以防止静电放电对器件造成损害。

以上为简要说明，具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。