【ME12P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

**ME12P04-VB 产品参数：**
- 丝印： VBE2412
- 品牌： VBsemi
- 封装： TO252
- 类型： P—Channel 沟道
- 额定电压： -40V
- 额定电流： -65A
- 静态导通电阻： RDS(ON) = 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压： Vth = -1.6V

**应用简介：**
适用于高电流、低电压的功率开关应用，特别是在需要 P—Channel MOSFET 的场合，用于电源开关、电源逆变和低功率电机控制。

**领域模块及作用：**
1. **低功率电源开关模块：** 用于低功率开关电源，如家居电子设备。
2. **电源逆变模块：** 适用于逆变器，将直流电源转换为交流电源。
3. **低功率电机控制模块：** 控制低功率电机运行，适用于小型电子设备。
4. **电动工具和电动车充电模块：** 提供中等电压输出，适用于电动工具和电动车充电器。

**使用注意事项：**
1. 确保按照规格书正确连接引脚，以确保器件正常工作。
2. 在设计中考虑散热需求，以确保器件在正常温度范围内。
3. 避免电压和电流超过器件的最大额定值。
4. 注意防止器件过载，以避免损坏。