【IRLH5036TRPBF-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

### 产品详细参数说明

- **型号：** IRLH5036TRPBF-VB
- **丝印：** VBQA1603
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** DFN8(5X6)

#### 参数：

- **沟道类型：** N—Channel
- **最大沟道电压：** 60V
- **最大持续电流：** 100A
- **导通电阻：** RDS(ON)=3mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=2V

### 应用简介

该产品属于N-沟道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），具有高电流、低导通电阻和适中的阈值电压等特点，适用于多种电源和开关电路应用。

### 产品应用领域

1. **电源管理模块：** 由于其高电流和低导通电阻，可广泛用于开关电源和稳压模块中，提高系统的能效。

2. **电机驱动：** 适用于电机控制领域，可用于电动工具、电动汽车等领域，实现高效的电机驱动。

3. **照明控制：** 可作为照明控制模块的关键元件，提高灯具的亮度调节和效能。

4. **电池管理：** 在电池充放电管理中发挥作用，提高充电效率和延长电池寿命。

### 使用注意事项

1. **电压限制：** 确保工作电压不超过60V，以避免损坏器件。

2. **电流注意：** 在规定的电流范围内使用，超过最大持续电流可能导致过热。

3. **静电防护：** 在操作过程中，采取静电防护措施，避免静电损伤器件。

4. **温度控制：** 注意工作温度范围，确保在规定的温度条件下使用，以维持性能和可靠性。

5. **引脚连接：** 准确连接引脚，避免反接等操作，以免损坏器件。

通过合理应用和注意事项的遵守，IRLH5036TRPBF-VB可以在各种电子领域中发挥重要作用，提高系统性能和效率。