MOS集成电路的基本单元电路 02

MOS集成电路的基本单元电路 02

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3.4 FET差动放大电路
引 言
（1）FET差放与BJT差放的对应关系
（2）FET差放的突出特点
（3）常用的电路形式

1. CMOS差放的传输特性


（1）传输特性的推导(略)
iD1 =ISS/2 + kP/4(W/L((ID 4LISS /(kPW)－(ID2
= ID1 + id1
iD2 =ISS/2 － kP/4(W/L((ID 4LISS /(kPW)－(ID2
= ID2 + id2
ID1=ID2=ISS/2, id1=－id2
iOD = iD4－iD2= iD1－ iD2 = 2id1

（2）传输特性曲线
(静态：
(加入差模输入(ID：
(限幅区: ( (ID ( ( 2LISS/(kPW)
(线性工作区:

2. CMOS差放的差模特性
(电压增益AV
(gs1 = ((i1－(i2 )/2 ，(gs2 =－((i1－(i2 )/2
id1=－id2 = gm1(gs1= gm1((i1－(i2 )/2
iod= 2id1= gm1((i1－(i2 ) ，RL(= rds2((rds4
(o= iod RL(= gm1(rds2((rds4)((i1－(i2 )
Av =(o /((i1－(i2