07.QDR SRAM and RLDRAM A Comparative Analysis

QDR SRAM and RLDRAM A Comparative Analysis
QDR SRAM 和 RLDRAM：对比分析
By (Anuj Chakrapani, Cypress 存储与成像部应用工程师)




摘要
当今的高速网络应用需要高带宽和高密度存储器解决方案。例如，标准的网络线路卡需要用于各种操

作的存储器，包括信息包缓冲器、查找表和队列管理等诸多功能。为了确保存储器带宽不会成为应用

吞吐量的瓶颈，选择正确的存储器解决方案是至关重要的。本白皮书将讨论适合于网络应用的存储器

解决方案 ―― 具体来说，就是四倍数据速率静态 RAM
（QDR SRAM）和低延迟动态 RAM
（RLDARM）

―― 并就其最为适合的应用对它们进行了比较。




网络 SRAM 的发展
标准的同步 SRAM（最早的主流同步 SRAM）是高速缓冲存储器应用的理想选择。然而，尽管其应用

十分广泛，但对于规定了一个平衡读/写模式的网络应用而言，它们并不是合适之选。一个其后紧跟着

一个写（WRITE）操作的读（READ）操作将导致在数据总线上出现争用状态。对于总线争用来说，

唯一的规避措施就是引入“等待”或“无操作”
（NOP）周期，以提供总线转向时间。但是，这些“等

待周期”会影响总线的利用率，从而导致带宽利用不足。由于带宽利用率是一项关键因素，所以，这

些同步 SRAM 并非此类网络应用的理想选择。



为了解决总线争用问题，人们开发了“无总线延迟”