资料介绍
寻求替代FG NAND和快速开发非易失存储器（NVM）的替代技术，例如正在进行的相变存储器（PCM/PRAM）、铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）和阻性存储器（ReRAM）。先进的特性分析能力对于任何新技术的成功至关重要。尽管存储器技术种类很多，但是这些技术都需要进行同一类型的特性分析，例如瞬态开关性能、耐力，并需要动态电流测量。
非易失存储器-特性分析和测量技术将探讨和例举FLASH、PRAM、ReRAM和FeRAM等各种NVM技术的常用特性分析和测量技术。并且还将介绍标准测量仪器的改进——用单机提供脉冲源和测量，即同步测量电流和电压同时向存储器件或材料施加多个脉冲波形。
Non-Volatile Memory
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