在HCS08 微控制器上EEPROM

在HCS08 微控制器上EEPROM
在 HCS08 微控制器上
使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM
飞思卡尔半导体北京分公司
师英 (jerry.shi@freescale.com)

在微控制器应用的很多场合，EEPROM 被用来保存要求掉电仍然保持的数据，包括系统
配置数据、过程数据、测量或运算结果等。虽然 HCS08 系列微控制器并不包含片上
EEPROM，然而它所拥有的高性能 FLASH 存储器可以方便地实现数据存储功能。在本文
中，提供了 4 个封装好的函数来实现 EEPROM 的模拟功能，屏蔽了复杂的底层操作，可以
很方便地集成到应用程序中去。

HCS08 微控制器片上 FLASH 的性能
HCS08 的程序存储器为 0.25um 工艺 FLASH，以 512bytes 为一个页组织。表 1 给出了
HCS08 片上 FLASH 存储器的大部分特性。
特性 表示符号 最小值 典型值 最大值 单位
内部 FCLK 频率 fFCLK 150 200 kHz
内部 FCLK 周期 tFcyc 5 6.67 us
字节编程时间（随机地址） tprog 9 tFcyc
字节编程时间（突发模式）