反激DCM模式RCD参数计算

反激DCM模式RCD参数计算
反激DCM模式RCD参数计算
这里首先提供几篇应用手记上的计算方法，然后对其进行改进对比，然后在仿真
中对比实际结果。




首先我们将关心的因素缩小，把主要考虑的元素分为 Mos 管的等效输出电容 Co
ss，变压器励磁电感 Lm，变压器的初级漏感 Lkp 作为考虑对象。




如图所示，如果不加 RCD 钳位，电路在 DCM 模式下，电路可能发生两次振荡，
第一次主要是初级漏感 Lkp 和 Coss 的电容引起的，第二次主要是在电路能量耗
尽后，励磁电感和 Coss 电容振荡引起的这里需要补充一下，在仿真的时候，已
经观察到了这个明显的现象了。
下面开始我们的计算：




计算过程，把 Flyback 的计算过程带入其中：
找了好些文档都是这么计算的，不过我发现几个问题
1.消耗的能量不仅仅是漏感的，也包括励磁电感的能量
2.在钳位过程中，电压是变化的，并不存在彻底钳位在 V.c_mx 的情况发生
因此我们需要修改模型