IBM，美光科技建立与TSV的混合内存

美光科技公司的混合存储立方体（HMC）对于IBM公司员工来讲，将成为第一个商业化的CMOS制造技术硅穿孔（TSV）工艺，该公司于星期四（12月1日）表示。

据IBM（近日，纽约州）介绍，TSV技术将使美光科技公司的HMC设备，实现速度比目前的技术快15倍。公司表示，HMC的部分将在IBM在纽约East Fishkill市的先进的半导体晶圆厂生产，使用该公司的32纳米高-K金属栅极工艺技术。

十月，美光科技公司和韩国三星电子联合有限公司宣布形成一个围绕HMC公开的联合，技术带来的DRAM记忆体和逻辑工艺一起封装到潜在的功率效率，带宽，密度和可扩展性超过传统的DRAM。公司表示，HMC技术采用先进的TSV的垂直管道，电气连接的单个堆栈芯片，结合美光的DRAM的高性能逻辑。

IBM表示，它将在12月5日在华盛顿特区IEEE国际电子器件会议，展示其TSV制造突破的细节。