瑞萨电子与TSMC携手打造微控制器设计生态环境

瑞萨电子与TSMC日前共同宣布，双方已签署协议，扩大在微控制器(MCU)技术方面的合作至40纳米嵌入式闪存(eFlash)工艺，以生产应用于下一世代汽车及家电等消费性产品的微控制器。

瑞萨电子先前已同意采用TSMC90纳米嵌入式闪存工艺为该公司生产微控制器，在此40纳米微控制器合作案中，瑞萨电子将委托TSMC生产40纳米及更先进工艺的微控制器。

　　瑞萨电子与TSMC将共同合作在MCU平台与制造所需的先进技术上取得领先地位，结合瑞萨电子支持高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化硅(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS)技术与TSMC高质量技术的支持，包括先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺与灵活的产能调度。

　　此外，藉由将此MONOS工艺平台提供给遍布全球的其他半导体供货商，包括无晶圆厂(Fabless)公司及整合组件制造商(IDM)，瑞萨电子与TSMC将致力于建置一个设计生态环境，并且扩大客户群。

　　瑞萨电子资深副总岩元伸一表示：「为了达到全球业务持续成长的目标，我们有信心TSMC能够提供我们产品迅速量产的卓越优势，并且给予最大的弹性，因应市场剧烈波动时的需求。根据去年历经日本大地震冲击多条生产线与客户业务之后所学习到的经验，我们已经加快晶圆厂网络(Fab Network)的布建，成为公司营运持续计划(Business Continuity Plan, BCP)之中的一环。藉由此次的合作结合双方领先世界的技术，我们将建造一个能够为客户稳定供货的架构，身为微控制器市场的领导厂商，我们亦将推动市场成长，致力为MCU打造一个设计生态环境。」

　　TSMC全球业务暨营销资深副总经理陈俊圣表示：「瑞萨电子是微控制器市场的领导厂商之一，这次的合作将协助提供瑞萨电子新产品推出时所需的效能，满足其客户对质量及可靠性的期待。」

　　基于双方长久以来稳固的合作关系，TSMC提供瑞萨电子具有成本效益且非常可靠的工艺能力，将闪存整合于单一微控制器上。相较于目前的90纳米工艺，采用40纳米工艺生产的微控制器产品具备更高速、更低功耗的优势，而且芯片尺寸缩小逾50%，这些特性对于整合型微控制器的设计格外重要，该设计将逻辑芯片、内存、及其他系统零组件压缩至极小的面积上。