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Vishay超快二极管优化系统开关损耗

—— 裸片器件具有4A~150A的额定电流和和宽VF与trr比
作者: 时间:2013-05-30 来源:电子产品世界 收藏

  日前,Intertechnology, Inc发布11款新型Gen2 650V FRED Pt超快。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用,具有极快的和软恢复的时间,以及低正向压降和反向峰值电流,可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正(CCM PFC)中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用,具有低得多的正向压降,可优化导通损耗。  

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/145893.htm

  这次发布的超快具有2A~150A的额定电流。器件的高隔离电压使设计者能够提供额外的安全裕量,并提高最终产品中的功率密度。可根据用户要求提供等效封装的器件。

  为使效率最大化,提供了很宽范围的正向电压与反向恢复时间比。在+25℃(di/dt=200A/µs)条件下,器件的典型反向恢复时间只有28ns,典型正向电压低至1.38V。为了实现更健壮和高性价比比的设计,二极管的最高工作结温可达+175℃。

 器件规格表:

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关键词:Vishay二极管

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